Gedächtnis-Datenspeicherung MR0A08BCYS35 MRAM magnetoresistente Direktzugriffsspeicher-MRAM

Produkt-Beschreibung

Magnetoresistente Gedächtnis-Datenspeicherung des Direktzugriffsspeicher-MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35

EIGENSCHAFTS-NUTZEN

• Ein Gedächtnis ersetzt BLITZ, SRAM, EEPROM und MRAM im System für einfacheren, leistungsfähigeren Entwurf

• Verbessert Zuverlässigkeit indem das Ersetzen von Batterie-unterstütztem SRAM

• 3,3-Volt-Stromversorgung

• Schnell 35 ns Lese-Schreibzyklus

• Kompatibles TIMING SRAMs

• Gebürtige Nichtflüchtigkeit

• Unbegrenztes Lesen u. Ausdauer schreiben

• Daten immer permanent für Jahre >20 bei der Temperatur

• Handels- und industrielle Temperaturen

• Alle Produkte treffen Empfindlichkeitsniveau der Feuchtigkeit MSL-3

• RoHS-konforme TSOP2- und BGA-Pakete

NUTZEN

• Ein Gedächtnis ersetzt BLITZ, SRAM, EEPROM und MRAM im System für einfacheren, leistungsfähigeren Entwurf

• Verbessert Zuverlässigkeit indem das Ersetzen von Batterie-unterstütztem SRAM