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Startseite ProdukteChip der integrierten SchaltungIPB200N25N3G-Halbleiter-getrennte Transistoren ursprünglich und neuer MOSFET
IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET
IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET

IPB200N25N3G-Halbleiter-getrennte Transistoren ursprünglich und neuer MOSFET

Produktdetails:
Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: Original
Zertifizierung: ISO9001:2015standard
Modellnummer: IPB200N25N3G
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact us to win best offer
Verpackung Informationen: Standard
Lieferzeit: 1-3workdays
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/months
Kontakt
  • Detailinformationen
  • Produkt-Beschreibung

Detailinformationen
Paket: TO-263-3 D/C: Am neuesten
BEDINGUNG: Nagelneu und ursprünglich Vorbereitungs- und Anlaufzeit: auf Lager
Befestigung von Art: SMD/SMT
Markieren:

Halbleiter-getrennte Transistoren

,

Mosfet-Leistungstransistor IPB200N25N3G

,

1 n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor

Produkt-Beschreibung

Produkteigenschaft Attribut-Wert
MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Kanal
1 Kanal
250 V
64 A
mOhms 17,5
- 20 V, + 20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Verbesserung
OptiMOS
Spule
Schneiden Sie Band
MouseReel
Konfiguration: Einzeln
Abfallzeit: 12 ns
Vorwärtstransconductance - Minute: 61 S
Höhe: 4,4 Millimeter
Länge: 10 Millimeter
Produkt-Art: MOSFET
Anstiegszeit: 20 ns
Reihe: OptiMOS 3
1000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistor-Art: 1 N-Kanal
Art: Leistungstransistor OptiMOS 3
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: 45 ns
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: 18 ns
Breite: 9,25 Millimeter
Teil # angenommener Name: SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
Stückgewicht: 0,139332 Unze

Größe und Tag:

SN74AC00DR 2 eingegebenes Nand Gate

Chip SN74LV4040ADR-integrierter Schaltung

Logik-Tore SN74AC00DR

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