Speicherchips 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V SRAMs 2Mb EMMC

Produkt-Beschreibung

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

EIGENSCHAFTEN

• Hochgeschwindigkeitszugriffzeit: 8, 10 ns

• Betriebsstrom: 50mA (Art.)

• Bereitschaftsstrom: 700µA (Art.)

• Mehrfache Mittelenergie und Massepunkte für größere Störsicherheit

• Einfache Speichererweiterung mit CER- und OE-Wahlen

• CERabschaltung

• Kompatibler Input und Ertrag TTLs

• Einzelne Stromversorgung 3.3V

• Pakete verfügbar: – Stift 36 400 Mil SOJ – 44 Stift TSOP (Art II)

• Bleifreies verfügbares

BESCHREIBUNG

Das ISSI IS61LV2568L ist, geringe Energie, Wort 262.144 durch 8-Bit-CMOS statisches RAM ein sehr Hochgeschwindigkeits. Das IS61LV2568L wird unter Verwendung leistungsstarker CMOS-Technologie ISSIS fabriziert.

Dieser in hohem Grade zuverlässige Prozess, der mit innovativen Schaltplantechniken verbunden wird, erbringt Geräte der höheren Leistung und der Leistungsaufnahme der geringen Energie. Wenn CER HOCH (abgewählt) ist, nimmt das Gerät eine Bereitschaftsbetriebsart an, an der die Verlustleistung auf 36mW (Maximum) mit CMOS-Eingangspegeln unten verringert werden kann.

Das IS61LV2568L funktioniert von einer einzelnen Stromversorgung 3.3V und aller Input ist TTL-kompatibel. Das IS61LV2568L ist in 36 Stift 400 Mil SOJ und 44 Stift TSOP verfügbar (Art II)pakete.