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Startseite ProdukteTransistor IC-ChipFCB36N60NTM SMD SMT Kanal 600V MOSFET-Transistor IC-Chip-N
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V

FCB36N60NTM SMD SMT Kanal 600V MOSFET-Transistor IC-Chip-N

Produktdetails:
Herkunftsort: Vorlage
Markenname: original
Zertifizierung: ISO9001:2015standard
Modellnummer: FCB36N60NTM
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: 3-5.00USD/pc
Verpackung Informationen: Rohr, Spule, Behälter
Lieferzeit: 2-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, PayPay
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000PCS/Months
Kontakt
  • Detailinformationen
  • Produkt-Beschreibung

Detailinformationen
Transistor-Polarität: N-Kanal Zahl von Kanälen: 1 Kanal
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 600V Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 90 mOhms
PD - Verlustleistung: 312 W Konfiguration: Einzeln
Markieren:

FCB36N60NTM-Transistor IC-Chip

,

FCB36N60NTM MOSFET-Transistor

,

Kanal 600V MOSFET-Transistor-N

Produkt-Beschreibung

FCB36N60NTM MOSFET-Transistor-getrennte Halbleitervorlage

 

 

Produkteigenschaft Attribut-Wert
Produkt-Kategorie: MOSFET
Technologie: Si
Befestigung von Art: SMD/SMT
Paket/Fall: SC-70-3
Transistor-Polarität: N-Kanal
Zahl von Kanälen: 1 Kanal
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 600 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 36 A
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 90 mOhms
Vgs - Tor-Quellspannung: - 30 V, + 30 V
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: 4 V
Qg - Tor-Gebühr: 112 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Normalbetriebshöchsttemperatur: + 150 C
PD - Verlustleistung: 312 W
Kanal-Modus: Verbesserung
Verpacken: Spule
Verpacken: Schneiden Sie Band
Verpacken: MouseReel
Konfiguration: Einzeln
Abfallzeit: 4 ns
Vorwärtstransconductance - Minute: 41 S
Höhe: 4,83 Millimeter
Länge: 10,67 Millimeter
Produkt-Art: MOSFET
Anstiegszeit: 22 ns
Reihe: FCB36N60N
Fabrik-Satz-Quantität: 800
Unterkategorie: MOSFETs
Transistor-Art: 1 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: 94 ns
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: 23 ns
Breite: 9,65 Millimeter
Stückgewicht: 4 g

 

FCB36N60NTM SMD SMT Kanal 600V MOSFET-Transistor IC-Chip-N 0

Größe und Tag:

Getrennter Halbleiter 625mW BJT

Transistor 2N3439 IC-Chip

Bipolar Transistor MPS6560

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