Produkt-Beschreibung
MRF9045LR1TRANSISTORS Rf-bipolar Transistor-Si ursprünglich auf Lager
Das ASI MRF9045LR1 ist eine Hochspannung, gold-metallisiert,
seitlich zerstreuter Metalloxidhalbleiter. Ideal für heutiges
Rf-Endverstärker Anwendungen.

|
Rf MOSFET-Transistoren |
RoHS: |
Details |
|
N-Kanal |
|
Si |
|
4,25 A |
|
65 V |
|
945 MHZ |
|
DB 18,8 |
|
60 W |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
Behälter |
Konfiguration: |
Einzeln |
Vorwärtstransconductance - Minute: |
3 S |
PD - Verlustleistung: |
117 W |
Produkt-Art: |
Rf MOSFET-Transistoren |
Unterkategorie: |
MOSFETs |
Art: |
Rf-Energie MOSFET |
Vgs - Tor-Quellspannung: |
15 V |
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: |
4,8 V |
Stückgewicht: |
0,032480 Unze |
Typische zwei•
−
Tone Performance bei 945 MHZ, 28 Volt
Spitzenleistung — 45 Watt ELAN
Energie-Gewinn — DB 18,8
Leistungsfähigkeit — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Integrierter ESD-Schutz
•
Entworfen für maximale Gewinn-und Einfügungs-Phasen-Flachheit
•
Fähig zur Behandlung des 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 MHZ, 45 Watt CW
Spitzenleistung
•
Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
•
Gekennzeichnet mit dem Reihen-Äquivalent groß
−
Signal-Widerstand-Parameter
•
Im Band und in der Spule. Suffix R1 = 500 Einheiten pro 32 Millimeter, 13 Zoll Spule.
•
Niedrige Vergolden-Stärke auf Führungen. L Suffix zeigt 40 an
μ ′ ′
Nomin
•
Typische zwei
−
Tone Performance bei 945 MHZ, 28 Volt
Spitzenleistung — 45 Watt ELAN
Energie-Gewinn — DB 18,8
Leistungsfähigkeit — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Integrierter ESD-Schutz
•
Entworfen für maximale Gewinn-und Einfügungs-Phasen-Flachheit
•
Fähig zur Behandlung des 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 MHZ, 45 Watt CW
Spitzenleistung
•
Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
•
Gekennzeichnet mit dem Reihen-Äquivalent groß
−
Signal-Widerstand-Parameter
•
Im Band und in der Spule. Suffix R1 = 500 Einheiten pro 32 Millimeter, 13 Zoll Spule.
•
Niedrige Vergolden-Stärke auf Führungen. L Suffix zeigt 40 an
μ ′ ′
Nomin
•
Typische zwei
−
Tone Performance bei 945 MHZ, 28 Volt
Spitzenleistung — 45 Watt ELAN
Energie-Gewinn — DB 18,8
Leistungsfähigkeit — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Integrierter ESD-Schutz
•
Entworfen für maximale Gewinn-und Einfügungs-Phasen-Flachheit
•
Fähig zur Behandlung des 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 MHZ, 45 Watt CW
Spitzenleistung
•
Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
•
Gekennzeichnet mit dem Reihen-Äquivalent groß
−
Signal-Widerstand-Parameter
•
Im Band und in der Spule. Suffix R1 = 500 Einheiten pro 32 Millimeter, 13 Zoll Spule.
•
Niedrige Vergolden-Stärke auf Führungen. L Suffix zeigt 40 an
μ ′ ′
Nomin
•
Typische zwei
−
Tone Performance bei 945 MHZ, 28 Volt
Spitzenleistung — 45 Watt ELAN
Energie-Gewinn — DB 18,8
Leistungsfähigkeit — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Integrierter ESD-Schutz
•
Entworfen für maximale Gewinn-und Einfügungs-Phasen-Flachheit
•
Fähig zur Behandlung des 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 MHZ, 45 Watt CW
Spitzenleistung
•
Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
•
Gekennzeichnet mit dem Reihen-Äquivalent groß
−
Signal-Widerstand-Parameter
•
Im Band und in der Spule. Suffix R1 = 500 Einheiten pro 32 Millimeter, 13 Zoll Spule.
•
Niedrige Vergolden-Stärke auf Führungen. L Suffix zeigt 40 an
μ ′ ′
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Rf-Gerät-Daten
Freescale-Halbleiter
Rf-Energie-Feld-Effekt-Transistoren
N
−
Kanal-Verbesserung
−
Modus seitliche MOSFETs
Entworfen
für Breitbandhandels- und industrielle Anwendungen mit frequen-
cies bis 1000 MHZ. Das hohe GA
in und Breitbandleistung von diesen
Geräte machen sie ideal für großes
−
Signal, allgemein
−
Quellverstärker applica-
tions in der 28-Volt-Basisstationsausrüstung.
•
Typische zwei
−
Tone Performance bei 945 MHZ, 28 Volt
Spitzenleistung — 45 Watt ELAN
Energie-Gewinn — DB 18,8
Leistungsfähigkeit — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Integrierter ESD-Schutz
•
Entworfen für maximale Gewinn-und Einfügungs-Phasen-Flachheit
•
Fähig zur Behandlung des 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 MHZ, 45 Watt CW
Spitzenleistung
•
Ausgezeichnete Wärmebeständigkeit
•
Gekennzeichnet mit dem Reihen-Äquivalent groß
−
Signal-Widerstand-Parameter
•
Im Band und in der Spule. Suffix R1 = 500 Einheiten pro 32 Millimeter, 13 Zoll Spule.
•
Niedrige Vergolden-Stärke auf Führungen. L Suffix zeigt 40 an
μ ′ ′
Nein